中微高端芯片制造产品进入半导体主流设备市场

    中微公司（AMEC）先进的，具有自主知识产权的，65及45纳米的高端芯片加工设备，正式进入全球半导体主流设备市场。中微是以中国和亚洲为基地的半导体芯片制造设备公司。中微的产品包括12英寸的Primo D-RIE（去耦合反应离子刻蚀）设备及Primo HPCVD（高压热化学沉积）设备，分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积。中微公司的 Primo系列设备采用了最新的技术和独特的反应室设计。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用。更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的半导体芯片生产厂家上线试运。

    中微公司的产品正式进入市场，反映了半导体主流设备工业持续向亚洲转移的趋势。新兴的，以亚洲为基地的设备公司具有地域上接近主流客户的优势，便于客户和设备公司的技术及管理人员交流切磋，迅速解决问题。设备公司在亚洲的生根和成长，也促进了本地区材料和设备供应链的发展和完善。凭借这些优势，设备公司将利用他们领先的技术，以更具有竞争力的价格向客户提供更先进的设备，从而为客户创造更大的价值。

    中微公司顺应行业发展趋势，利用上述在亚洲营运的有利条件，在来自全球半导体设备及芯片工业精英团队的共同努力下，通过2年半的精心设计和反复试验，采用独特设计和技术创新，开发了与众不同Primo D-RIE和Primo HPCVD系列产品。中微公司的研发、生产、供应、销售和售后服务中心在中国、日本、韩国、中国台湾、新加坡等区域都有布局。公司为服务全球各地区客户做好了充分的准备。

    Dean Freeman, 著名市场研究公司Gartner的副总裁说道：“66% 的半导体器件销售是在亚洲，这使得亚洲太平洋地区（包括日本）成为世界半导体芯片制造业的中心。据我们所掌握的数据显示，75% 的半导体设备销售在亚洲。这也是亚洲成为半导体设备生产的热土的原因。”

    “实现高质量的芯片加工和减少加工成本是我们成功的关键，”台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）高级副总裁左大川博士说，“因此，对我们来说培养那些致力于提供能满足甚至超越我们在技术和成本控制方面要求的先进设备公司，并与其建立伙伴关系就显得十分重要。”

    “半导体芯片工业对降低成本的要求不断提高，成本问题已经成为决定芯片制造公司能否成功的关键之一。”中微公司董事长和首席执行官尹志尧博士说，“同时，芯片制造业要求更先进的技术和更高性能的半导体设备，以制造更先进的芯片，满足新一代电子产品的需求。中微公司通过技术创新和成本控制来满足这些要求。而且我们以亚洲为基地的新经营模式为我们和客户更好合作提供了地理优势，也使我们能够更进一步利用这个区域的成本优势。我们非常荣幸的把我们的产品推向全球市场。”

    中微公司的成长得益于多家国际主流风险投资公司、投资银行及大公司投资部门的鼎力支持。华登国际 （Walden International）、光速风险投资公司 （Lightspeed Venture Partners）和高盛公司 （Goldman Sachs）等为公司的技术发展提供了丰厚的资金，并协助和支持公司产品的产业化和市场化。光速风险投资公司的合伙人Chris Schaepe 先生说：“中微公司代表了新一代亚洲技术的创新者服务全球的决心。中微公司的技术专家深刻理解芯片制造商所面临的技术挑战。他们充分利用他们的商业经验和技术能力给客户带来新的解决方案，从而使客户能以最低的成本制造出最先进的半导体电子器件。”

    “亚洲是许多世界级的具有创新能力和先进技术公司的家乡。” 高盛公司亚洲副董事长宋学仁先生说，“中微展示了他们在半导体设备业的领先地位。 我们非常高兴能与一个持续增长的公司结为伙伴关系。”

    尹博士再次强调：“中微公司的投资方对公司的成长功不可没。这不仅是因为他们对我们技术和产品的商业化提供了资金的支持，而且我们得益于他们难能可贵的商业建议。我们对他们的支持十分感激。”

    中微公司Primo系列产品是为满足日益增长的先进芯片制造要求，和高输出量及低成本的要求而设计的新一代半导体设备。产品主要包括：

    Primo D-RIE 介电质刻蚀设备

    300毫米，多反应室，双反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有具自主知识产权的、甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。刻蚀机的应用包括极深接触孔刻蚀、硬模板刻蚀、金属接触孔刻蚀、浅槽刻蚀等各种介电质刻蚀。

    系统特点及技术优势：

    • 去耦合反应离子刻蚀和稳定的射频系统设计，提供了对离子浓度和离子能量的分别控制，也达到了有效的关键尺度控制。
    • 独特的射频输入和对称分布可对刻蚀过程和芯片内刻蚀均匀度达到精密控制。
    • 具有自主知识产权的双重等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定和可靠，并使杂质微粒数降到最低。
    • 每个反应台独立的射频发生器，各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使得每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理，达到最佳结果。这是业界第一次在同一机台上实现单芯片或双芯片加工随意转换成为可能。
    • 双射频的下电极输入提供了稳定，可靠的等离子体浓度和离子能量， 从而使刻蚀过程稳定，可重复，并且使各反应台加工结果一致。
    • 拥有自主知识产权，具有快速，稳定，可靠的调谐能力自隔离射频匹配装置。
    • 反应室内壁选用高纯度，耐等离子体特殊材料。开发最佳的材料加工过程，大大降低损耗。将杂质微粒数降到最低。
    • 上部电极直接加热和闭环控制确保了精确快速的晶片处理温度环境控制 。
    • 系统可安装多达3个反应器，包括6个单晶片反应台，在占用较少洁净室空间的同时，大大提高了芯片加工的输出量。
    • 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。

    Primo HPCVD 高压热化学沉积设备

    300毫米，多反应室，4反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有具自主知识产权的最新设计，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。化学沉积的应用包括浅槽隔绝填充和前金属电介质沉积。

    系统特性及技术优势：

    • 有自主知识产权的多通道气体分配系统提高了沉积速度，改善了无空洞介质填充，同时有效控制了微粒杂质。
    • 有自主知识产权的动态晶片加热器提高了晶片内和晶片间的温度均匀度控制。
    • 独特的液体注入气化装置有效降低了杂质微粒的生成，提供了更高效的液体流量控制。
    • 系统可安装多达3个反应器，包括12个单晶片反应台，在占用更少洁净室空间的同时，大大提高了芯片输出量。
    • 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。

    中微公司将在SEMICON日本期间主办一场先进技术研讨会。以日本众多先进芯片制造企业高级技术专家为演讲嘉宾将是本次研讨会的一大特色。研讨会将在日本幕张的New Otani Makuhari 酒店举行。